Modélisation électrothermique de transistors en technologie GaN

Résumé

L’analyse des dispositifs à base de Nitrure de Gallium ou GaN, montre que ces derniers sont des sérieux candidats pour les applications de télécommunications et radar. Le but de cette étude est donc d'évaluer les potentialités des HEMTs AlGaN / GaN, et de proposer un modèle précis en régime petit signal de ce type de transistor, basé sur une méthode d'extraction des paramètres extrinsèques. La méthode que nous avons proposée, permet de déterminer judicieusement les paramètres extrinsèques tout en négligeant les capacités des plots. Par la suite, les paramètres intrinsèques sont déterminés selon une méthode classique. Notre procédure d'extraction est validée sur deux transistors multidoigts 4x20 μm et 2x100 μm. Un excellent accord est obtenu entre les paramètres S simulés et les mesures sur les deux transistors. Les résultats indiquent l'exactitude et la cohérence de cette méthode. Le modèle petit signal GaN HEMT proposé, avec un modèle de grille distribuée, est approuvé selon la validation expérimentale réalisée sur des transistors 4x20 μm et 2x100 μm.

Date	25 mars 2011
langue originale	Français
Établissement diplômant	École de technologie supérieure
Superviseur	Ammar B. Kouki (Directeur(-trice))